Linseis TFA L59 İnce Film Fiziksel Karakterizasyon Cihazı
Linseis TFA L59, nanometre ile mikrometre arasındaki ince filmlerin ısıl ve elektriksel özelliklerini tek ölçümde, aynı numune üzerinde ve aynı yönde belirler: ısıl iletkenlik, özgül ısı, elektriksel iletkenlik, Seebeck katsayısı, Hall sabiti, taşıyıcı mobilitesi ve yük taşıyıcı yoğunluğu.
Linseis 1957'den bu yana termal analiz cihazı üretiyor. İnce filmin fiziksel özellikleri yığın malzemeninkinden farklıdır; küçülen boyutlar ve yüksek en-boy oranı yüzey saçılmasını, sınır saçılmasını ve çok ince katmanlarda kuantum sınırlanmasını öne çıkarır. TFA L59 bunu ön yapılandırılmış ölçüm çipleri üzerinde çözer: numuneyi doğrudan çipe biriktirir, ölçümü −160 °C ile 280 °C arasında ultra yüksek vakumda alabilirsiniz.
Ürün Özellikleri
Yedi Parametreyi Tek Çalıştırmada Alın
Ölçüm çipi, ısıl iletkenlik için 3ω tekniğini elektriksel taşınım için 4 noktalı Van der Pauw düzeneğiyle birleştirir; Van der Pauw elektrotlarının yanındaki direnç termometreleri Seebeck katsayısını verir. Bütün ölçümler aynı numunede ve aynı düzlem içi yönde alındığı için sonuçları birbiriyle doğrudan karşılaştırabilirsiniz.
Numune Hazırlığı Çipe Biriktirmekten İbaret
Numuneyi PVD (termal buharlaştırma, sputtering, MBE), CVD (ör. ALD), spin kaplama, damlatma ya da mürekkep püskürtmeli baskı ile çipin üzerine biriktirmeniz yeterlidir; çip dört elektroda zaten bağlıdır. Desenleme için soyulabilir folyo maske ya da metal gölge maske kullanabilirsiniz. Çipler sarf malzemesi olarak ön yapılandırılmış gelir.
−160 °C ile 280 °C Arasında Sıcaklığa Bağlı Ölçüm
Ölçüm haznesi gerekli ortam koşullarını kurar; ölçümler genellikle ultra yüksek vakumda alınır. Sıvı azotlu soğutma ve güçlü ısıtıcılarla numune sıcaklığını ölçüm boyunca kontrol eder, malzemenin davranışını sıcaklığa bağlı olarak izleyebilirsiniz.
İhtiyacınız Büyüdükçe Büyüyen Modüler Yapı
Temel cihazla ısıl iletkenlik ve özgül ısı ölçebilirsiniz. Termoelektrik paketi elektriksel direnç, iletkenlik ve Seebeck katsayısını ekler; manyetik paket Hall sabiti, taşıyıcı mobilitesi ve yük taşıyıcı yoğunluğunu getirir. Baştan tam donanım almak yerine çalışmanız genişledikçe sistemi genişletebilirsiniz.
- Temel cihaz (transient paket): ölçüm haznesi, vakum pompası, ısıtıcılı numune tutucu, 3ω için sistem entegre lock-in yükselteci, bilgisayar ve LINSEIS yazılım paketi — λ, cp
- Termoelektrik paketi: genişletilmiş DC ölçüm elektroniği ve değerlendirme yazılımı — ρ / σ, S
- Manyetik paket: hareketli elektromıknatıs (±1 T, değişken) ya da iki kalıcı mıknatıslı düzenek (+0,5 T / 0 T / −0,5 T) — AH, μ, n
- Düşük sıcaklık opsiyonu: LN₂ ile −160 °C'ye kadar kontrollü soğutma, TFA/KREG soğutma ünitesi ve 25 L TFA/KRYO Dewar
Askıda Membran Tasarımı
Düzlem içi ısıl iletkenlik için patent başvurusu yapılmış tasarıma sahip askıda membran üzerindeki sıcak şerit düzeneği kullanılır: çok ince bir tel hem ısıtıcı hem sıcaklık sensörü olarak çalışır. Numune doğrudan bu membranın üzerine biriktirilir; tele akım verildiğinde Joule ısınmasıyla direnci değişir ve bu değişimden, düzeneğin bilinen geometrisiyle birlikte numunenin ısıl iletkenliği hesaplanır. Numuneye bağlı olarak özgül ısıyı da aynı düzenekten alabilirsiniz.
Yarı İletkenden Organik Malzemeye
Sistem malzeme türünden bağımsız çalışır: yarı iletken filmlerin yanında metal, seramik ve organik malzemeleri de ölçebilirsiniz. Malzeme, kalınlık, direnç ve biriktirme yöntemi bakımından esnek olması, aynı cihazı birbirinden farklı çalışmalarda kullanmanızı sağlar.
Uygulama Alanları
- Termoelektrik malzeme geliştirme: Seebeck katsayısı, elektriksel iletkenlik ve ısıl iletkenliğin aynı numuneden alınması.
- Yarı iletken ve mikroelektronik: taşıyıcı yoğunluğu, mobilite ve ısıl iletkenliğin birlikte değerlendirilmesi.
- İnce film kaplama ve fonksiyonel katmanlar: biriktirme yönteminin film özelliklerine etkisi.
- Pil ve batarya malzemeleri: ince film elektrotlarda ısıl ve elektriksel taşınım.
- Organik ve baskılı elektronik: damlatma ve mürekkep püskürtmeli baskıyla hazırlanan katmanların karakterizasyonu.
Spesifikasyonlar
| Ölçüm teknikleri | 3ω (ısıl iletkenlik) · 4 noktalı Van der Pauw (elektriksel taşınım) · direnç termometreli Seebeck |
| Ölçülen parametreler | λ, cp, ρ / σ, S, AH, µ, n |
| Sıcaklık aralığı | −160 … +280 °C |
| Ortam | Ultra yüksek vakum (UHV) |
| Numune kalınlığı | nm – µm aralığı |
| Ölçüm yönü | Düzlem içi (in-plane) — tüm parametreler aynı yönde |
| Numune hazırlama | PVD (termal buharlaştırma, sputtering, MBE), CVD (ör. ALD), spin kaplama, damlatma, mürekkep püskürtmeli baskı |
| Maskeleme | Soyulabilir folyo maske veya metal gölge maske |
| Ölçüm çipleri | Ön yapılandırılmış, sarf malzemesi |
| Manyetik paket | Elektromıknatıs ±1 T (değişken) veya kalıcı mıknatıs +0,5 T / 0 T / −0,5 T |
| Düşük sıcaklık opsiyonu | LN₂ ile −160 °C · TFA/KREG kontrollü soğutma ünitesi · TFA/KRYO 25 L Dewar |
| Ölçülebilen malzemeler | Yarı iletken, metal, seramik, organik |
| Isıl iletkenlik düzeneği | Patent başvurusu yapılmış askıda membran üzerinde sıcak şerit |
Spesifikasyonlar önceden bildirilmeksizin değiştirilebilir; projenize uygun konfigürasyon ve güncel değerler için bizimle iletişime geçin.
Temsilcilik
Ürün grubu
